FLOSFIA、新技術で酸化ガリウム半導体の壁を克服！注目の2026年量産計画も

FLOSFIAが開拓する酸化ガリウム半導体の未来

京都市を拠点とする株式会社FLOSFIA（フロスフィア）は、酸化ガリウム（α-Ga₂O₃）を利用した次世代のパワー半導体開発において、重要な技術的課題「p層」の克服に成功しました。この技術革新によって、同社は世界で初めてMOSFET（メタル−酸化物−半導体電界効果トランジスタ）のノーマリーオフ特性を持つ10A超の大電流動作を実現したのです。

他にはないアプローチ

FLOSFIAは、自社の独自技術「ミストドライ®」法を用いて、酸化ガリウム半導体におけるp層形成を先駆的に開発。これにより、従来の技術では実現が難しい高性能のデバイスを生み出しました。特に、JBS（ジャンクションバリアショットキー）構造ダイオードにおいて、製品レベルのサンプルをすでに実証済みです。さらに、MOSFETへのp層適用を目指し、独自のプロセス技術を改良・開発。この結果、重要な性能特性を持つデバイスの製作に成功しました。

技術の進展と実績

研究開発の成果として、これまでの進展は以下のとおりです：

- 2023年1月：新規p層のデバイス適用に成功し、ジャンクションバリア効果を確認
- 2023年3月：JSRとの共同研究によって、量産適用を視野に入れたp層成膜技術が実現
- 2024年12月：p層を用いたJBS構造ダイオードの10A級大電流サンプルを作製
- 2025年6月：改良されたp層がMOSFETに適用され、10A超の大電流動作を実証

このように、FLOSFIAの技術進展は目覚ましいものがあります。特に、p層が持つポテンシャルを最大限に引き出すことで、様々なデバイス設計の自由度を広げることが可能になりました。

グローバルな競争力を目指して

FLOSFIAは、世界的な電動化や省エネのニーズに迅速に対応すべく、酸化ガリウムおよびp層技術を駆使した新たな市場ニーズの受け入れに向けて準備を進めています。加えて、FLOSFIAのGaO®ブランドは、サファイア基板の利用により、他の素材に比べてコストを最大50分の1まで削減できるという優位性も持っています。このような取り組みにより、より高品質で低コストな量産体制を確立しました。