UJ-Crystalが4.3億円を調達し超高耐圧SiC半導体の開発を加速

UJ-Crystalが資金調達を実施し新技術開発へ

名古屋大学発のベンチャー企業、株式会社UJ-Crystal（以下UJC）は、第三者割当増資を行い総額4.3億円の資金を集めました。この資金は、同社が開発中の超高耐圧p型SiC半導体基板用ウェハの開発を加速させるために活用されます。

パワー半導体技術の急務

電力需要はAIやデータセンターの普及に伴い、急激に高まっていますが、再生可能エネルギーの供給不足という深刻な課題にも直面しています。具体的には、原子力発電所3000基分に相当する約3000GWの電力が送電できないという現実が浮き彫りになっています。この状況を改善するためには、HVDC（高電圧直流送電）、STATCOM（静的同期補償器）、SST（固体トランス）などの次世代パワーシステム・デバイスの技術革新が求められます。

UJ-Crystalの独自のアプローチ

UJ-Crystalでは、AIデジタルツイン技術を駆使して超高耐圧p型SiC基板用ウェハの開発を進めています。従来の昇華法ではドーピング制御や品質の確保が難しく、UJCが独自に開発した溶液成長法により、この困難を克服しようとしています。これにより、世界初の社会実装を目指しています。

企業とパートナーの期待

今回の増資でUJ-Crystalを支援するSBIインベストメントの松本祐典部長は、宇治原社長が20年以上にわたり築いてきた技術の価値を高く評価しています。また、京都大学イノベーションキャピタルの八木信宏様は、宇治原代表の独創的な研究への信頼を表明し、この技術が「ゲームチェンジャー」になると確信しています。地域と人と未来の藤田豪様もこのプロジェクトがAI時代における電力不足の解決に寄与する見込みを述べています。