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FLOSFIAが切り開く新たな半導体の時代

京都市に本社を置く株式会社FLOSFIAは、世界で初めて酸化ガリウム（α-Ga₂O₃）パワー半導体の量産化技術を確立しました。最新技術による4インチウェハの製造が実証されたことで、日本の半導体産業の競争力回復に向けた基盤が整いました。これにより、従来のSiC（炭化ケイ素）半導体が抱える高コスト体質から脱却する可能性が見えてきています。

現状と背景：SiC市場の厳しい現実

現在、SiC市場はEV（電気自動車）の需要の減少と中国メーカーの激しい価格競争にさらされており、日本の半導体産業も非常に厳しい状況に置かれています。技術力は依然として高いものの、構造的な高コスト体質が競争力を奪っています。これまでの歴史的な優位性が脅かされており、「第二の敗北」の可能性も囁かれています。

新素材への道：酸化ガリウムの潜在能力

生成AIの拡大やカーボンニュートラル社会の実現に向けた要請から、電力変換効率の向上が急務となっています。この背景の中で、シリコンを超えた新素材パワー半導体市場が急速に成長しており、今後10年間で年平均成長率は約20%に達すると予測されています。この市場での革新は日本の競争力に新たな希望をもたらすでしょう。

量産化へのステップ：技術の進化

FLOSFIAは、量産化に向けた重要なマイルストーンを達成しました。具体的には、以下の2つの成果により本格量産体制の構築が向上しました。

成果1: 4インチウェハ製造技術の確立

FLOSFIAの技術は、サファイア基板を使用することで、SiCの基板コストの最大50分の1まで削減可能です。これにより、圧倒的な低コスト優位性の獲得が見込まれ、正確な製造が可能になります。

成果2: 信頼性課題の克服

α-Ga₂O₃技術において、特に信頼性のばらつきに関する課題が解決されました。ウェハの表面状態を高感度で検知する方法や独自の結晶欠陥検出技術の確立により、製品の歩留まりが劇的に向上しました。これにより、コストと品質ともに優れた製品の量産が現実のものとなります。

見据える未来：「ポストSiC」時代への挑戦

FLOSFIAは、今後70%以上の市場を占めるMOSFETや次世代ダイオードであるJBSの量産技術の確立を加速させる予定です。すでに得た経験を基に、早期の市場投入を目指し、確実な競争力を手に入れるでしょう。

日本の半導体産業への影響

FLOSFIAのα-Ga₂O₃技術は、超低損失性能やコスト面での優位性により、日本の半導体業界を新たな方向へ導く光となります。2026年度以降、量産開始を予定しており、国内外のパートナーシップも強化する方針です。今後の展開がますます楽しみになります。

まとめ: 持続可能な社会に向けて

FLOSFIAは、「半導体エコロジー®」という理念をもとに、エネルギー、プロセス、マテリアルの環境負荷を低減する技術に取り組んでいます。新しいパワー半導体技術の普及は、持続可能な社会の実現に向けた重要なステップとなります。

企業情報

• - 会社名: 株式会社FLOSFIA（フロスフィア）
• - 所在地: 京都市西京区御陵大原1番29号
• - 設立: 2011年3月31日
• - URL: FLOSFIA公式サイト

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