ロームのSiC MOSFETがAIサーバーの次世代電源を支える

ローム株式会社が製造した750V耐圧のシリコンカーバイド（SiC）MOSFETが、AIサーバーのバッテリーバックアップユニット（BBU）に採用されました。この技術は、AIの進化とデータセンターの電力消費が急増する現代において、重要な役割を果たします。

SiC MOSFETとは何か？

SiC MOSFETとは、シリコンに代わる新たな材料として注目されているシリコンカーバイド（SiC）を基にしたパワーデバイスです。従来のシリコンデバイスに比べて高耐圧、高温耐性、低損失が特徴です。ロームの製品ラインナップの中でも、特にSCT4013DLLという750V耐圧のSiC MOSFETが発表されました。

AIサーバー向けのBBUとは

AIサーバーは、特に生成AIの普及に伴い、電力消費が増加しています。そのため、バッテリーバックアップユニット（BBU）の重要性も高まってきました。BBUは、電力供給の安定性を保つため、停電や瞬停時でもサーバーの正常な動作を保証します。この重要な機能を果たすために、ロームはSiC MOSFETを選定したのです。どんな環境でも安定した性能を発揮できる的確な選択でもあります。

高温耐性と低損失

採用されたSCT4013DLLは、最大ジャンクション温度（Tj）175℃という高い耐熱性を持ち、AIサーバー向けの±400V電力供給アーキテクチャに対応しています. 今後、BAUでは800VDC電力供給が進む見込みですが、安心して使用できる750V耐圧の特長により、BBUの電源部においてもその特性を活かせるのです。

HVDCアーキテクチャの利点

HVDC（高圧直流給電）という新しい電力供給アーキテクチャに移行することで、送電ロスを大幅に削減可能です。AIサーバーの電源システムにおいて、効率的かつ信頼性の高い電力供給は必須であり、その中でSiC MOSFETはキーデバイスとなることが期待されています。特に異常発生時には、瞬時に高電圧・大電流を管理できる能力が求められます。

持続可能な社会の実現に向けて

ロームは、この技術を通じてデータセンター市場を支え、SiCやガリウムナイトライド（GaN）を用いた新しいパワーデバイスの開発を進めるとともに、アナログICを組み合わせたソリューションを提供し、電力効率の向上に貢献します。持続可能な社会を目指す中で、ロームのEcoSiC™ブランドはますます重要な位置付けとなるでしょう。